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A partir do momento que a memória DDR3 atingiu seus limites no mundo da tecnologia, em constante mudança, onde se exige maior desempenho e maior largura de banda, surgiu uma nova geração de memórias SDRAM DDR no horizonte: a DDR4.
Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%.
Marca:
Kingston
Modelo:
KVR26S19S8/8
Capacidade:
8GB
Frequência:
2666MHz
Tipo:
DDR4
Tensão:
1,2v
Pinos:
260 pin
Tipo de módulo:
SODIMM
CL(IDD):
19 Ciclos
Tempo do ciclo da linha (tRCmin):
45.75ns(min)
Hora do comando (tRFCmin):
350ns(min)
Tempo ativo da linha (tRASmin):
32ns(min)
Potência operacional máxima:
TBD W
Classificação UL:
94V - 0
Temperatura de operação:
0°C + 85°C
Temperatura de armazenamento:
-55°C + 100°C